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SK海力士考虑新建<span style='color:red'>DRAM</span>工厂应对需求增长

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SK海力士考虑新建DRAM工厂应对需求增长

　　除了最近宣布的M15X计划之外，SK海力士还在考虑建设一家新的内存工厂，对在韩国、美国或其他地区建厂持开放态度。　　据报道，该公司考虑建厂的原因是在建的龙仁芯片集群推迟投产，预计今年内存芯片需求将大幅增长。一名要求匿名的半导体行业高级官员表示，“我们了解到，他们不仅对在韩国建立新基地的可能性持开放态度，也对在美国乃至其他地区建立新基地持开放态度。”　　当地时间 24 日，SK 海力士宣布在韩国清州 M15X 工厂安装新的 DRAM 设施。SK 海力士光是在这家工厂就已经投资了 20 万亿韩元(当前约 1054 亿元人民币)，目标是明年 11 月启动产线。　　据悉，M15X 工厂将配备最新的半导体设备，包括一台极紫外线(EUV)光刻机，用于生产 10 纳米第五代 D-RAM 及更先进的产品。如果 SK hynix 确认追加投资，这将是继龙仁集群、美国印第安纳先进封装厂和 M15X 之后的又一项重大投资。　　此前，SK 海力士 CEO 郭鲁正曾表示：“M15X 将成为向全世界提供 AI 应用存储器的核心设施，也是公司迈向未来的垫脚石，我确信此次投资不仅有助于公司，还会对国家经济的未来发展作出贡献。”

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海力士

发布时间：2024-04-29 15:21 阅读量：146 继续阅读>>

三星发布其首款36GB HBM3E 12H <span style='color:red'>DRAM</span>

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三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM

　　三星电子宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。目前，三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，预计于今年下半年开始大规模量产。　　据介绍，三星HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，产品容量也达到了36GB。相比三星8层堆叠的HBM3 8H，HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。相比HBM3 8H，HBM3E 12H搭载于人工智能应用后，预计人工智能训练平均速度可提升34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍¹。　　HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。据悉，HBM3E 12H产品的垂直密度比其HBM3 8H产品提高了20%以上。　　三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae表示，当前行业的人工智能服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而新产品HBM3E 12H正是为了满足这种需求而设计的，这一新的存储解决方案是公司研发多层堆叠HBM核心技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。

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三星

发布时间：2024-02-29 14:18 阅读量：1581 继续阅读>>

佰维发布CXL 2.0 <span style='color:red'>DRAM</span>，赋能高性能计算

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佰维发布CXL 2.0 DRAM，赋能高性能计算

　　导语：CXL是一种开放式全新互联技术标准，可在主机处理器与加速器、内存缓冲区、智能I/O设备等设备之间提供高带宽、低延迟连接，从而满足高性能异构计算的要求，并且其维护CPU/GPU内存空间和连接设备内存之间的一致性，突破内存墙瓶颈，缩减整体响应时间。此外，CXL支持部署新的内存层，可以弥合主内存和SSD存储之间的延迟差距。　　随着AI应用爆发，“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和电气接口之上，CXL内存扩展功能可在服务器中的直连DIMM插槽之外实现额外的内存容量和带宽，支持内存池化和共享，满足高性能CPU/GPU的算力需求。　　近日，佰维成功研发并发布了支持CXL 2.0规范的CXL DRAM内存扩展模块。佰维CXL 2.0 DRAM采用EDSFF(E3.S)外形规格，内存容量高达96GB，同时支持PCIe 5.0×8接口，理论带宽高达32GB/s，可与支持CXL规范及E3.S接口的背板和服务器主板直连，扩展服务器内存容量和带宽。同时，佰维可针对无E3.S接口的服务器背板提供CXL AIC转接卡。　　佰维CXL 2.0 DRAM的特点和优势　　1搭载高性能内存扩展控制器，遵循CXL2.0 Type3标准，支持PCIe5.0x8接口，理论带宽高达32GB/s。　　2严选优质DDR5内存颗粒，容量高达96GB。　　3支持On-Die ECC、Side-Band ECC、SDDC、SECDED等功能。　　4允许多达16台主机同时访问内存的不同部分，支持内存池化共享。　　5同步开源发布CXL DRAM软件工具包，以确保用户无障碍部署CXL扩展内存。工具包特点：可提供CXL的显示，隐式API，客户可根据不同应用场景进行使用;可提供应用层级的CXL的numa工具使用方法，建立应用层级对CXL的直观感受。　　Latency性能方面，在实际测试中，佰维CXL 2.0 DRAM挂载于node 2节点，与挂载于node 0节点的CPU存取Latency为247.1ns，带宽超过21GB/s，Latency性能优异，赋能数据高速处理。　　人工智能(AI)和机器学习(ML)对高速数据处理的需求持续增长，佰维CXL 2.0 DRAM兼具支持内存容量和带宽扩展、内存池化共享、高带宽、低延迟、高可靠性等特点，赋能AI高性能计算。目前，佰维可为客户和合作伙伴提供32GB~96GB CXL 2.0 DRAM的功能样机，进行联合评估和测试。未来，佰维将持续关注CXL技术，赋能高性能计算需求。　　延伸：AIC转接卡　　针对无E3.S接口的服务器背板，佰维可提供AIC转接卡，助力服务器实现CXL RDIMM内存扩展。

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佰维

发布时间：2023-12-27 14:04 阅读量：1288 继续阅读>>

全球存储市场2024年复苏！钰创：<span style='color:red'>DRAM</span>最坏情况已过

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全球存储市场2024年复苏！钰创：DRAM最坏情况已过

　　据台媒《工商时报》报道，钰创指出，今年来DRAM产业皆处于修正状态，随着大厂积极持续减产及库存逐渐去化，已度过最坏的时期，根据多家知名研调机构数据，皆预估2024年全球DRAM市场将迎来复苏。　　钰创9日举行法说会，该公司第三季税后亏损2.76亿元（新台币，下同），每股亏损0.96元，累计前三季税后亏损6.35亿元，累计每股亏损2.2元。钰创同日公告10月营收2.21亿元，月减1.07％，年减13.31％；累计前十月合并营收21.85亿元，年减48.64％。　　钰创指出，随着DRAM库存消化告一段落，加上大厂积极减产，市场供需渐趋平衡，将迎向新一波复苏。据国外研调机构Garnter的预测，2024年DRAM市场整体营收展望，将较2023年显著成长，年增幅度达88％。

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存储

发布时间：2023-11-15 13:31 阅读量：1495 继续阅读>>

三星电子发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 <span style='color:red'>DRAM</span>产品

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三星电子发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

　　三星电子宣布该公司已采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，并计划于今年年底开始量产。　　通过使用最新开发的 32Gb 内存颗粒，即使不使用硅通孔 (TSV) 工艺也能够生产 128GB 内存模组。与使用 16Gb 内存封装的 128GB 内存模组相比，其功耗降低了约 10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。　　以 12 纳米级 32Gb DDR5 DRAM 为基础，三星计划继续扩充大容量内存产品阵容，以满足高性能计算和 IT 行业持续增长的需求。通过向数据中心，以及采用人工智能和下一代计算等应用的客户提供 12 纳米级的 32Gb 内存，三星希望巩固其在下一代内存市场的前沿地位。未来，该产品还将在三星与其他核心行业伙伴的长期合作中发挥至关重要的作用。

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三星电子

发布时间：2023-09-04 10:59 阅读量：2137 继续阅读>>

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三星电子宣布12nm级16Gb DDR5 DRAM已开始量产

　　5月20日消息，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺，再次奠定了其在尖端DRAM技术方面的优势。　　与上一代产品相比，三星最新的12纳米级DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圆生产率提高了20%。出色的能效表现，使它能够成为全球IT企业的服务器和数据中心节能减排的优秀解决方案。三星12纳米级工艺技术的开发基于一种新型高κ材料，这种新型材料有助于提高电池电容。高电容使数据信号出现明显的电位差，从而更易于准确地区分。同时，三星在降低工作电压和噪声方面的成果，也让此解决方案更加适用于客户公司的需求。　　三星12纳米级DDR5 DRAM最高可支持7.2吉比特/秒（Gbps）的速度，相当于每秒可处理大约两部30GB的超高清电影。三星为满足客户需求将持续扩大12纳米级DRAM的产品阵容，以支持越来越多的应用，助力数据中心、人工智能在内的下一代计算。　　三星在去年12月完成了16Gb DDR5 DRAM与AMD的兼容性评估，并将继续与全球IT公司合作，推动下一代DRAM市场的创新。

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三星

发布时间：2023-05-22 10:51 阅读量：2106 继续阅读>>

SK海力士<span style='color:red'>DRAM</span>厂氢氟酸泄露！3人受伤

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SK海力士DRAM厂氢氟酸泄露！3人受伤

▎7日从韩媒获悉，4月6日上午，SK海力士利川M16工厂有3名工人在检查设备的过程中因毒性物质氟酸泄露受伤。据悉，M16工厂DRAM生产工厂...根据SK海力士和消防当局6日的说法，当日上午11时34分许，3名工作人员在京畿道利川市SK hynix的 M16工厂5楼的设备进行检查期间，发生氢氟酸泄漏事故，3名员工因毒性物质氟酸泄露受伤，其中1名员工胳膊和腿部被烧伤，另2名员工则不慎吸入氟酸气体被立即送往医院，3人均无生命危险。公开资料显示，氢氟酸（Hydrofluoric Acid）是氟化氢气体的水溶液，清澈，无色、发烟的腐蚀性液体，有剧烈刺激性气味。氢氟酸是一种弱酸，具有极强的腐蚀性，能强烈地腐蚀金属、玻璃和含硅的物体。如吸入蒸气或接触皮肤会造成难以治愈的灼伤。SK hynix表示:“此次事故是在检查M16新工厂的机器的过程中发生的，对半导体生产没有影响。”值得庆幸的是， 3名受伤的工人在被送医急救之后已无大碍。据悉，本次发生氢氟酸外泄事件的M16工厂是 SK hynix 新建成的一座工厂，据官网资料显示，M16工厂在2018年的11月动工，总投资金额达3.5万亿韩元，历时2年建成，到今年2月1日才举行了完工典礼。M16工厂还引进了极紫外光曝光机 (EUV) 进入产线，将主要用于生产 DRAM 产品。目前M16工厂正在进行最后一批生产设备的装机与测试工作，为202年下半年的正式量产做准备。韩媒猜测，此次化学品外泄事件发生是意外事件。至于真正的化学品泄漏原因，SK hynix表示将积极协助当地消防局做进一步调查。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！

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SK海力士

发布时间：2021-04-08 00:00 阅读量：1364 继续阅读>>

新思科技发布业界首个用于下一代<span style='color:red'>DRAM</span>／DIMM设计的JEDEC DDR5验证IP

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新思科技发布业界首个用于下一代DRAM／DIMM设计的JEDEC DDR5验证IP

新思科技宣布推出业界首个用于Double Date Rate 5 (DDR5) DRAM/DIMM且符合JEDEC DDR5 (JESD79-5)标准的验证IP (VIP)。DDR5是随机存取存储器(RAM)的下一代标准。新规范为云、物联网、高性能服务器和工作站、超大规模数据中心和大数据等广泛的企业应用带来更高的性能和更低的功耗。新思科技VC VIP for DDR5能够设计和验证兼具易用性、快速集成和最佳性能的下一代内存设备，从而加快验证收敛。此外，以高达6400 Mb/s的速度运行的新思科技DesignWare® DDR5/4 PHY和控制器IP支持DDR5标准的主要功能，包括设备尺寸、突发长度、DIMM拓扑以及可靠性、可用性和可服务性(RAS)功能。美光(Micron)计算与网络业务部营销副总裁Malcolm Humphrey表示：“将下一个主流内存架构的重大技术进步市场化需要一个能够提供广泛而多样化的技能和工具的生态系统。美光与新思科技在最新的DRAM、NAND和NOR技术上的合作使我们的客户能够开发需要更高内存带宽的新兴应用程序。新思科技经过设计验证的DDR5 VIP的推出实现行业首创JEDEC 1.0 DDR5设备的验证收敛，增强了终端客户的信心。”DDR5 DRAM的数据传输速率（3200MT/s至8400MT/s）和密度（8Gb至64Gb）都有显著提高。DDR5技术具有新的性能特点，可满足较高的频率和准确性要求，其中包括：· 新增至32个数据块和8个数据组、BL16、BL32和BL OTF (16/32)；· 通过片上ECC和读写数据CRC达到更高的可靠性；· 针对VDD/VDDQ/VPP优化的写入模式和降低的电压水平，增强低功耗性能；· 更强的CS培训、读取训练模式、内部写入均衡、CA培训和DFE。新思科技VC VIP for DDR5 DRAM/DIMM采用下一代原生SystemVerilog通用验证方法学(UVM)架构，不仅可以在现有验证环境中轻松集成，还能加快仿真性能，使用户能够在特定的时间内进行更多测试，并加快首次测试的步伐。VC VIP for DDR5与新思科技Verdi®协议和性能分析器进行了原生集成，包括内置覆盖率和验证计划，以便加快验证收敛。新思科技验证事业部研发副总裁Vikas Gautam表示：“新思科技全面的DRAM/DIMM和闪存验证IP组合，包括DDR5/4/3/2、3DS、MRAM、DDR5 NVDIMM-P、LPDDR5/4、GDDR6、DFI 5.0、HBM2/2E和SPI/NAND/ONFI，支持具有海量数据吞吐量要求的新兴应用程序。通过与标准组织和内存供应商紧密合作，交付和部署行业首创经客户验证的解决方案，我们使设计人员能够迅速采用最新的内存技术。”新思科技VC VIP for DDR5 DRAM/DIMM今天上市。DesignWare DDR5/4 PHY和控制器IP解决方案现在也已上市。

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新思科技

发布时间：2020-08-27 00:00 阅读量：1298 继续阅读>>

兆易创新<span style='color:red'>DRAM</span>芯片项目完成资金募集，首款芯片2021年量产

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兆易创新DRAM芯片项目完成资金募集，首款芯片2021年量产

近日，兆易创新在投资者互动平台上表示，公司DRAM芯片自主研发及产业化项目于2020年5月完成资金募集，现项目研发工作正在进行中。2019年9月，兆易创新发布非公开发行股票预案，拟募集资金总额不超过人民币43亿元，用于DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金，以实现国内存储芯片设计企业在DRAM领域的突破。公告显示，兆易创新DRAM芯片研发及产业化项目计划投资总额约40亿元，拟投入募集资金33亿元。兆易创新拟通过本项目，研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。根据兆易创新此前发布的《非公开发行A股股票申请文件一次反馈意见的回复》显示，兆易创新对DRAM芯片研发及产业化项目各个阶段的实施时间、整体进度进行了安排。根据安排，兆易创新计划在2020年定义首款芯片的生产制程，并将经过验证后的设计展开流片试样，经过反复测试、反复修改直到样片设计符合设计规范并通过系统验证；2021年，首款芯片客户验证完成后进行小批量产，测试成功后进行大批量产；2022年至2025年，兆易创新计划完成多系列产品陆续研发及量产。资料显示，兆易创新自2005年设立并进入闪存芯片设计行业，通过技术开拓、业务并购，目前已成为中国大陆最为领先的芯片设计企业之一，其主营业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品、传感器模块的研发、技术支持和销售。上述项目的实施有助于兆易创新丰富自身产品线，提升我国在全球存储器产业地位。兆易创新表示，本次非公开发行是公司打造国内领先存储器厂商、全球领先芯片设计公司的关键战略。项目实施完毕后，兆易创新在存储器领域的产品结构将得到进一步丰富，在NOR Flash、NAND Flash基础上切入DRAM存储芯片，届时，兆易创新将掌握DRAM技术、具备DRAM产品设计能力。

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芯片

发布时间：2020-07-28 00:00 阅读量：1306 继续阅读>>

均价微幅回升！一季度<span style='color:red'>DRAM</span>产值因疫情影响季减4.6%

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均价微幅回升！一季度DRAM产值因疫情影响季减4.6%

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，第一季DRAM供应商库存去化得宜，季末的库存水位与年初相比已经显著下降，因此降价求售压力不再，整体DRAM（内存）均价相较前一季上涨约0-5%。然而，因应新冠肺炎疫情，各国祭出封城锁国政策，导致物流受阻，DRAM的位元出货也受到影响。所以虽然均价小幅上涨，但第一季DRAM整体产值季衰退4.6%，达148亿美元。集邦咨询指出，第一季受阻的出货将递延至第二季，因此在DRAM均价上涨幅度扩大且出货量同时提升的情况下，集邦咨询预测第二季DRAM整体产值将季增超过两成，原厂的营收与获利能力将持续成长。DRAM均价小涨带动原厂Q1获利能力厂商排名方面，三星以44.1%的市占排名第一；SK海力士位列第二，市占率为29.3%；美光则以20.8%的市场份额排名第三。由于产能规划大致相同，集邦预期第二季度市占不会有太大变化。此外，集邦分析了三大厂商的产能与技术能力。三星持续将部分产能 (Line13) 由 DRAM 转向影像感测器 (CMOS)，不过平泽二厂预计下半年投入 DRAM 生产，弥补 Line13 投片下滑，同时提高 1Z 制程比重，考虑到疫情对于需求的冲击，三星会审慎规划产出，今年产能增加幅度不高。SK 海力士持续将 M10 厂 DRAM 投片转向影像感测器，增加 M14 产出，并将于下半年小幅提高无锡厂的产能，但全年产能增幅不高。美光的投片与产能与去年相较没有太大改变，今年度资本支出将着重1Z制程的量产与产出提升，目前正值OEM积极验证阶段，很快就能导入实际量产。三大原厂的获利受惠于第一季DRAM均价上扬而维持成长。三星去年第四季的营业利益率受惠于一次性认列而大增，垫高基期，所以虽然第一季营业利益率下滑至32%，但实质的获利能力仍持续提升。SK海力士第一季营业利益率为26%，与上季的19%相比明显改善。美光本次财报季区间的报价涨幅小于韩厂，加上当前因开发1Z制程导致成本增加，使得营业利益率小幅下滑，但预计下次财报区间（3月至5月）会有明显改善。整体而言，三大原厂先进制程的开发与导入虽有递延，但大致顺利，没有重大质量异常情况发生。今年整体DRAM产能没有明显成长，资本支出也持续下降，供给位元成长主要来自于1Y与1Z纳米等先进制程的转进，并非实质投片增加。中国台湾厂商1季度表现南亚科第一季出货量双位数成长，带动营收较前一季增加近10%，加上研发费用的控制，营业利益率由上一季的11%升至12.7%。展望第二季，在均价上扬的挹注下，获利能力将持续进步；至于华邦第一季量价大致持平，因此DRAM营收变化幅度不大，成长力道以NAND Flash（闪存）较为明显；而力晶科技第一季仍以影像传感器需求较为强劲，排挤DRAM产能，因此营收小幅下滑3%（营收计算主要为力晶本身生产之标准型DRAM产品，不包含DRAM代工业务）。

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DRAM

发布时间：2020-05-14 00:00 阅读量：1509 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
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